シンプルな構成ですが、いざ製作しようと部品を集め、シャーシ加工等を考えると面倒なものです。
今回、見栄えは抜きにして実用性を重視し、安価に提供できるようまとめてみました。

１．特徴

１）MOSFET＋抵抗器によるシンプル構成
　　a）MOSFET 2SJ554（VDSS=-60V、ID=-45A、PD=100W）を1個
　　b）１０Ω　２０Wおよび１Ω　４０W　セメント抵抗
　　c）変更点
　　　2SJ380 x2 => 2SJ554 x1：　大容量タイプ１個にし、素子の電流バランス考慮不要
　　　１Ω　２０W => ２Ω　２０W 並列接続：　抵抗の耐電力容量アップ
　　　放熱器サイズ拡大：　FETの耐電力容量アップ

２）１Ａと１０Ａの２レンジ切り替え
　　a）　１Ａレンジ：∞から１０Ω＋ＲFET 連続可変　（入力１２Ｖ、１Ａ時　ＲFET＝２ Ω）
　　b）１０Ａレンジ：∞から　１Ω＋ＲFET 連続可変　（入力１２Ｖ、５Ａ時　ＲFET＝１．４ Ω）

３）手持ちのテスターで負荷電流監視（0.1A/V または 1A/V）
　　両端にバナナプラグ付ケーブル付属

４）ご希望により電圧計内蔵可能（オプション）
　　ただし、『電圧計＋穴あけ加工』費用より秋月電子で販売されている
　　１０００円前後のアナログまたはデジタルマルチメータを使用する方が安価です。

２．使用上の注意

１）入力電圧
　　a）　１Ａレンジ：３０Ｖ以下
　　b）１０Ａレンジ：２０Ｖ以下

２）連続運転時はオームの法則（Ｉ＝Ｅ／Ｒ、Ｐ＝Ｅ*Ｉ）を理解し、
　　FETおよび抵抗の消費電力に注意し、下記使用例を参照して使用する。　赤字は定格オーバにつき注意

a)１Ａレンジの使用例
　　・入力電圧＝　５Ｖ、負荷電流＝０．３Ａ時：　FET＝　０．６Ｗ（　２Ｖx ０．３Ａ）、１０Ω＝　０．９Ｗ（　３Ｖx ０．３Ａ）
　　・入力電圧＝　６Ｖ、負荷電流＝０．４Ａ時：　FET＝　０．８Ｗ（　２Ｖx ０．４Ａ）、１０Ω＝　１．６Ｗ（　４Ｖx ０．４Ａ）
　　・入力電圧＝　９Ｖ、負荷電流＝０．７Ａ時：　FET＝　１．４Ｗ（　２Ｖx ０．７Ａ）、１０Ω＝　４．９Ｗ（　７Ｖx ０．７Ａ）
　　・入力電圧＝１２Ｖ、負荷電流＝１．０Ａ時：　FET＝　２．０Ｗ（　２Ｖx １．０Ａ）、１０Ω＝１０．０Ｗ（１０Ｖx １．０Ａ）
　　・入力電圧＝１５Ｖ、負荷電流＝１．２Ａ時：　FET＝　３．６Ｗ（　３Ｖx １．２Ａ）、１０Ω＝１４．４Ｗ（１２Ｖx １．２Ａ）
　　・入力電圧＝２０Ｖ、負荷電流＝１．５Ａ時：　FET＝　７．５Ｗ（　５Ｖx １．５Ａ）、１０Ω＝２２．５Ｗ（１５Ｖx １．５Ａ）
　　・入力電圧＝３０Ｖ、負荷電流＝１．５Ａ時：　FET＝２２．５Ｗ（１５Ｖx １．５Ａ）、１０Ω＝２２．５Ｗ（１５Ｖx １．５Ａ）

b)１０Ａレンジの使用例
　　・入力電圧＝　５Ｖ、負荷電流＝２．０Ａ時：　FET＝　６Ｗ（　３Ｖx ２Ａ）、１Ω＝　４Ｗ（２Ｖx ２Ａ）
　　・入力電圧＝　６Ｖ、負荷電流＝３．０Ａ時：　FET＝　９Ｗ（　３Ｖx ３Ａ）、１Ω＝　９Ｗ（３Ｖx ３Ａ）
　　・入力電圧＝　９Ｖ、負荷電流＝５．０Ａ時：　FET＝２０Ｗ（　４Ｖx ５Ａ）、１Ω＝２５Ｗ（５Ｖx ５Ａ）
　　・入力電圧＝１２Ｖ、負荷電流＝５．０Ａ時：　FET＝３５Ｗ（　７Ｖx ５Ａ）、１Ω＝２５Ｗ（５Ｖx ５Ａ）
　　・入力電圧＝１５Ｖ、負荷電流＝５．０Ａ時：　FET＝５０Ｗ（１０Ｖx ５Ａ）、１Ω＝２５Ｗ（５Ｖx ５Ａ）
　　・入力電圧＝２０Ｖ、負荷電流＝３．０Ａ時：　FET＝５１Ｗ（１７Ｖx ３Ａ）、１Ω＝　９Ｗ（３Ｖx ３Ａ）

　　短時間限定
　　・入力電圧＝１２Ｖ、負荷電流＝　８Ａ：　FET＝３２Ｗ（４Ｖx 　８Ａ）、１Ω＝　６４Ｗ（　８Ｖx 　８Ａ）
　　・入力電圧＝１５Ｖ、負荷電流＝１０Ａ：　FET＝５０Ｗ（５Ｖx １０Ａ）、１Ω＝１００Ｗ（１０Ｖx １０Ａ）

３．その他

１）抵抗器の放熱および安価にまとめるため、裏蓋なしのアルミシャーシを使用（塗装なし）。

２）寸法：160(L)x100(W)x60(H) mm（突起部を除く、放熱器の高さは含む）

　

商品価格は３９００円、　　ｅ〜ふか　の外観写真　（右側のテスターは含みません）