１．13.56MHz 高周波電源の写真 （ ２チャンネル分 ）

２．回路図 (目視で作成 　By JE1HPM )

１． hfe の 測定回路と主要トランジスタ

３． トランジスタ・リニアアンプ用 テスト電源の製作

5V 20A の SW電源を 2列 4段 ( 8台 ) に
組立て、過電圧保護用のツエナーを切断し
6V/1台に改造しました。

25A 50V のメーターは ジャンク箱にあった
古い SWR/POWER 計をリサイクルし、目盛
を PC で 変更、シャント抵抗は 0.004Ωです

１． 試作機の基板と回路

２． 実験結果と問題点

1) 放熱フィンの高さは 60mmと大きいが、思ったより発熱があり、短時間
　　しかテスト出来なかった。　← 強制空冷（ファンの追加）が必要

2) 実験中に ファイナル トランジスタが多数壊れ、短時間での測定と入力
　　電力を 5W (TS-570 min)に固定して測定　← 外部 10dB ATTの追加

3) Ib＝300mA (各150mA)にセット、無入力でも徐々に Ib が増加する。
　　放熱板が温った時に計は 900mA 流れていた　← バイアス回路変更

4) ベース用のコントロール Tr の発熱を抑える観点から 電源は 5.7V で
　　実験したが発熱する。　← Rg を大きくし 放熱フィンを大きくする

5) ハイバンドの効率が悪い　← 28MHzの効率優先に定数のカット＆トライ

２． 測定中の写真 と TH430 ４個の測定結果

測定結果を右上表にまとめました ( 6V 10A では 8個測定：殆ど同じでした )
TH430 には、４個共 22.7 と 鉛筆で記載されていました。　１項の方式で 6V 10A 時の Ib を測り hfe＝ Ic ÷ Ib で計算した所
30・31・32・31 と 殆どバラツキがありませんでしたので、商社での国内選別品だと思われます。
折角なので、デジタルテスターの測定結果及び Ib＝10・100mAの時の hfe も、参考に計測しておきました (表の赤字が測定値 ）
低電流時の hfe が、小さい事が分ります、22.7は Ib＝10mA テスターの様です。

　１．バイアス回路変更
　２．Ｔ１ Ｔ２の巻数　Ｔ１：４ｔ → ３ｔ、　Ｔ２：２ｔ →２ｔ〜３ｔ
　３．ベース抵抗の変更　８Ω → １5Ω
　４．Tr 入出コンデンサーの定数変更、1000PF、150PF
　５．電源電圧の デレーティング＋24〜48V
　６．入力ＡＴＴの耐電力アップ ( 50W )

２． 試作２号機の入出力特性

3-500Z

1．基板実装 と 回路図

２．入出力特性 ( 36V & 24V ) 　試作１号機の時に比べ雲泥の差で、メーカー並の素晴らしい特性が出た

１． 試作２号機機の基板・実装写真及び回路

この回路では 48V 印加（大電流・大電力）すると 磁気飽和を含め、
バンド内のバラツキを平坦化することが難しい。 　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　ハイバンド重点調整　VC＝48V →　

24V 印加時でも入出力コンデンサー及び出力トランスの巻数で特性が
可なり変る (バンドをある程度固定するか最終章へ）
下図のグラフは、Vc＝24V で 同じ基板の出力トランスの巻数のみを
ローバンド用 (２ｔ）と ハイバンド用（３ｔ）に変えて測定した 入出力特性

最近の デジタルテスターには hfe 測定機能が付いていますが
小信号用で トランジスタのベース電流を一定にし コレクタ電流
の比を計測し hfe を表示しています。
パワートランジスタは、数アンペアの電流を流した状態で hfe
を規定しており、機種に依り異なりますが仕様書に記載されて
います。TH430 の仕様書は( こちらの リンク ) を参照下さい。
主要トランジスタの hfe 測定条件を 下表にまとめました。
Ic を 計測する電流計は デジタルでは使い難く、アナログに限
ります、電流計は 10A の物を作って置けば間に合いそうなので
1mA/120Ωの ジャンク箱にあった電流計の目盛板を PC で
作り 0.012Ωの シャント抵抗を下の写真の様にに作りました。

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