EB104 2-30Mhz 600W MRF150X4 case study

 　　　　↑今回も関税の無かった平行輸入   　　        　　   　　 　↑CCI社から受け取った部品の中身
　今回作成するのは、MRF150をパラレルプッシュプルするリニアアンプです。MRF150はお馴染みのFETで現在MA/COM
　 が製造しています。今回も米国のCommunication Concept Inc.社よりモトローラのAPPRECIATION NOTE AN779を
　参考にした、EB-104なる再現性の高いキット(2-30Mhz 600Wリニアアンプ)の製作にかかりたいと思います。
　 またもや、CCT社のマレリー女史に電話をかけて、そのほかに必要な部品を色々と発注し、送り状の番号まで聞きました。笑
　 マレリー女史も覚えていたようで、Oh I remember your name and order last timeとか言って、なかなかの商売人。
  　早速基板を組み立てるところから入ります。もともと、ＭＲＦ150用に作られた基板ですのでＳＤ2931でもそのまま使用可能
　とおもいきや、ＦＥＴの特性が異なることから、微調整がひつようとなります。一番の違いは、ゲート・ソース・ドレイン間の静電
　容量です。規格表をみると一目瞭然です。また、バイアスの電圧も異なるようです。
　ＳＤ2931では、2.3Ｖ程度に電圧を上げますと、Ｉdｑが150mAほど流れます。規格表では250mAとの表示もありますが、
　過去に、流しすぎてＦＥＴを昇天させた経緯もあり、1本あたり150mA程度に抑えています。また、この基板では夫々バイアス
　抵抗値を変えられるように半固定抵抗が4箇所ついていますので、その点、マッチドペアの石でなくても使用できるようです。
　EB104の調整風景です。左が電流計で右はバイアス電圧を測定してい
　ます。半固定抵抗は、ホテンションメーターとなっていないため、ちょっとした
　動きで電圧が変わりその結果Ｉｃｑがいっきに流れ込んだりする場合が
　あります。双方のテスターをにらめっこしながらバイアス調整をします。
　このバイアス回路は、ＬＭ723といレギュレターでMr. Gran Barg氏が得意
　とする回路です。ＦＥＴはバイポーラトランジスターと異なりバイアスに電流
　がほとんど流れませんので、このＩＣと１ＫΩ・2Ｗ程度の抵抗で50Ｖから
　落としこむように設計されています。
　調整は慣れれば簡単です。誰でもできるのではないかと思います。
　下にちょっと大き目の写真をアップしておきます。
　
　なかなかコンパクトな基板ですよね。実際に45Ｖ程度をかけて動作テストを行うことにしました。
　ご覧のように、14Ｍｈｚでのテストですが、電流は25Ａ程度流れました。
　入力1125Ｗで出力580Ｗくらいです。効率は51.5％ですから余り高い
　とはいえません。出力トランスに取り付けてあるマイカーコンデンサーの容量
　を変えてやれば、良い特性が出るのではないかと推察します。
　また、ＳＤ2931とＭＲＦ150の比較では。パラレル状態にしたときは、MRF
  150の方が効率が高いことが過去の実験でわかっています。
　これは、多分出力コイルのいピーダンス変換で一番効率の良いところの
　バッファがＭＲＦ150の方に分があるためだと勝手に思っています。
　　このほかの周波数では、低いほうが効率がよく高くなるほど増幅度が
　低くなるようです。また、出力側のマイカコンデンサーも相当熱を持ちます
　ので、耐圧が足りないのではないかと思っています。

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JA1BOP 2006.8.16　update

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